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详细说明
产品简介:
该仪器采用了主动扰动抑制技术、快速应力形变分析算法、共光路横向错位干涉、二维偏振相移等技术,大口径、大面形、抗高温空气扰动等关键技术。可对6英寸样品应力和形变进行全场、快速、直接测试。适用于微电子、光电子器件科研生产中电子基片和薄膜的面形分布、应力分布和应力释放过程的测试,为提高电子元器件质量和可靠性提供数据支持。
可测Si、CaAs、InGaAs和Ge等具有反光性能的薄膜或抛光片
基片和薄膜面形测试
薄膜应力分布测试;
应力和形变释放过程测试
变温基片形变和薄膜应力测试;
具有测试过程数据记录功能,输出结果类型:三维立体显示、二维伪彩色显示、数据表格、温度与应力曲线
技术参数:
测试样片尺寸:2~6英寸
激光波长:650nm±30nm
激光功率:≥15mW
样品温控范围:室温~200℃
温度均匀性:±2%±2℃
温度控制精度:±2%±1℃
温度显示分辨率:0.1℃
曲率半径测试范围:∣R∣≥8m
曲率半径测试精度:5%
应力测量范围:50MPa~1GPa
应力重复测量精度:±10%±10MPa
应力测量显示分辨率:10MPa
测试时间:≤3min/片
电源:AC 220(1±10%)V,50(1±5%)Hz
功耗:≤350W
结构特征:台式
外形尺寸(W×H×D):≤520mm×630mm×850mm
重量:约80kg